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晶片在生產過程中，原本大氣中O2會和Si產生化學反應得O2+Si=SiO2（二氧化矽）為原始的氧化層，如果管路的氧含量過高，原始的氧化層會超出原本已計算好的厚度，如此會嚴重影響接下來各階段的制程。